defence technology

Close-up of an IISc-developed GaN-on-silicon high-power microwave transistor.

ഉയർന്ന ശേഷിയുള്ള മൈക്രോവേവ് ട്രാൻസിസ്റ്റർ ഇന്ത്യയിൽ നിർമ്മിച്ചു. പ്രതിരോധ മേഖലയിൽ വൻ കണ്ടെത്തലുമായി ബെഗലൂരു ഐ ഐ എസ് സിയിലെ ശാസ്ത്രജ്ഞർ

ഗാലിയം നൈട്രൈഡ് (GaN) ഓൺ സിലിക്കൺ അടിസ്ഥാനമാക്കി തദ്ദേശീയമായി ഉയർന്ന ശേഷിയുള്ള മൈക്രോവേവ് ട്രാൻസിസ്റ്റർ വിജയകരമായി വികസിപ്പിച്ചെടുത്ത് ഇന്ത്യൻ ഇൻസ്റ്റിറ്റ്യൂട്ട് ഓഫ് സയൻസിലെ (IISc) ഗവേഷകർ . ...

Latest News

Welcome Back!

Login to your account below

Retrieve your password

Please enter your username or email address to reset your password.

Add New Playlist